Технология и оборудование для получения коллоидных квантовых точек CsPbX₃ (X = Cl, Br, I), CdSe/ZnS, плазмонных наночастиц Ag/SiO₂ и гибридных структур на их основе
О защите писала газета ЛЭТИ «Электрик»
Аннотация
Диссертация развивает физико-технологические принципы коллоидного синтеза полупроводниковых и металлических наноструктур и исследует гибридные структуры на их основе. В ней описаны три созданные установки, защищённые патентами РФ на полезную модель: реактор синтеза наночастиц в потоке несмешивающихся жидкостей, установка послойного осаждения (ионное и молекулярное наслаивание) и установка измерения индикатрис светорассеяния для контроля синтеза и осаждения в реальном времени. Для перовскитных нанокристаллов галогенидов свинца-цезия CsPbX₃ (X = Cl, Br, I) физико-химическая триангуляция систем Cs–Pb–X показывает роль анионных октаэдров [PbX₆] в их росте, быстром анионном обмене и радиационной стойкости: нанокристаллы CsPbBr₃ сохраняют фотолюминесценцию при γ-облучении значительно лучше квантовых точек CdSe/ZnS, а ориентированное сращивание даёт слои нанокристаллов с текстурой (100). Монодисперсные наночастицы ядро/оболочка Ag/SiO₂ с оболочками SiO₂ толщиной 15–40 нм усиливают фотолюминесценцию квантовых точек CdSe/ZnS до 8,7 раза при толщине оболочки 25 нм.
Читать: PDF · ResearchGate · eLIBRARY
Как цитировать
@phdthesis{matyushkin2018thesis,
author = {Матюшкин, Л. Б.},
title = {Технология и оборудование для получения коллоидных квантовых точек CsPbX₃ (X = Cl, Br, I), CdSe/ZnS, плазмонных наночастиц Ag/SiO₂ и гибридных структур на их основе},
school = {СПбГЭТУ «ЛЭТИ»},
address = {Санкт-Петербург},
year = {2018},
type = {Дис. … канд. техн. наук},
language = {russian},
url = {https://matyushkin.github.io/science/dissertation-2018.pdf}
}